高纯钨靶 钨钛靶
用途：
高纯钨靶和高纯钨钛合金靶、钨硅复合靶材通常被施以磁控溅射的方法制作种种重大和高性能的薄膜质料 。由于高纯钨或超纯钨（5 N或6 N）具有对电子迁徙的高电阻、高温稳固性以及能形成稳固的硅化物，在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、毗连、过渡和障碍金属 。超高纯钨及其硅化物还用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门质料及毗连质料等 。钨钛合金溅射靶材常用于制作薄膜系太阳能电池的过渡金属层 。
规格：
|
名称 |
分子式 |
规格 |
尺寸 |
相对密度 |
晶粒度 |
缺陷率 |
|
|
纯钨靶 |
W |
4N（99.99%） |
英寸 |
毫米 |
≥99% |
≯50µm |
0 |
|
5N（99.999%） |
D（6,8,10,12） H（0.25,0.5,0.75） |
直径150～350 厚度6～25 |
|||||
|
钨钛靶 |
WTi10 WTi20 |
4N（99.99%） |
≥99% |
≯50µm |
0 |
||
|
4N5（99.995%） |
|||||||
化学因素
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规格品级 化学指标 |
W/(W+Ti)≥99.99% |
W/(W+Ti)≥99.995% |
W≥99.999% |
|||||||||
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痕量杂质总和 |
≯100 ppm |
≯50 ppm |
≯10 ppm |
|||||||||
|
杂质指标(ppm) |
最大值 |
典范值 |
最大值 |
典范值 |
最大值 |
典范值 |
||||||
|
放射性元素 |
U |
— |
0.2 |
0.1 |
0.05 |
0.0008 |
0.0005 |
|||||
|
Th |
— |
0.2 |
0.1 |
0.05 |
0.0008 |
0.0005 |
||||||
|
碱金属元素 |
Li |
1 |
0.05 |
0.02 |
0.01 |
0.01 |
0.003 |
|||||
|
Na |
5 |
1 |
0.5 |
0.2 |
0.1 |
0.05 |
||||||
|
K |
5 |
1 |
0.1 |
0.05 |
0.05 |
0.03 |
||||||
|
Mo，Re |
10 |
5 |
10 |
5 |
1 |
0.5 |
||||||
|
Fe，Cr |
10 |
5 |
5 |
3 |
0.5 |
0.3 |
||||||
|
Ca，Si，Cu，Ni，Al，Zn，Sn，Mn，Co，Hg，V |
2 |
1 |
0.5 |
0.3 |
0.2 |
0.2 |
||||||
|
P，As，Se |
2 |
1 |
0.5 |
0.2 |
0.2 |
0.2 |
||||||
|
B，Pb，Sb，Be，Ba，Bi，Cd，Ge，Nb，Pt，Mg，Zr，Au，In，Ga，Ag |
1 |
0.5 |
0.5 |
0.1 |
0.1 |
0.1 |
||||||
|
其它所有单个元素 |
1 |
0.5 |
0.5 |
0.1 |
0.1 |
0.1 |
||||||
|
气体剖析 （≯，ppm） |
O |
C |
N |
H |
S |
|||||||
|
30 |
20 |
20 |
20 |
10 |
||||||||
凭证使用目的差别，对高纯钨靶和钨钛靶杂质含量有差别要求，一样平常要求化学纯度在99.99%～99.999%之间，我们也可凭证用户要求特殊定制适合应用的其它规格 。
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